Microsemi / 2N6849
រូបភាពគឺសម្រាប់ជាឯកសារយោង សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំដើម្បីទទួលបានរូបភាពពិត
2N6849
| លេខផ្នែកក្រុមហ៊ុនផលិត: | 2N6849 |
| ក្រុមហ៊ុនផលិត: | Microsemi |
| ផ្នែកនៃការពិពណ៌នា: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| តារាងទិន្នន័យ: | 2N6849 តារាងទិន្នន័យ |
| ស្ថានភាពនាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / ស្ថានភាព RoHS: | នាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / អនុលោមតាម RoHS |
| លក្ខខណ្ឌស្តុក: | នៅក្នុងស្តុក |
| នាវាពី: | Hong Kong |
| មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- ចំណាំ
- Microsemi 2N6849 មាននៅ chipnets.com។ យើងខ្ញុំមានលក់តែ New & Original Part និងផ្តល់ការធានារយៈពេល 1 ឆ្នាំ។ ប្រសិនបើអ្នកចង់ដឹងបន្ថែមអំពីផលិតផល ឬអនុវត្តតម្លៃកាន់តែល្អ សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ សូមចុចលើបណ្តាញជជែក ឬផ្ញើសម្រង់មកយើងខ្ញុំ។
សមាសធាតុអេឡិចត្រូនិចទាំងអស់នឹងត្រូវបានវេចខ្ចប់ដោយសុវត្ថិភាពបំផុតដោយការការពារប្រឆាំងនឹងស្តាទិច ESD ។
ការបញ្ជាក់
| ប្រភេទ | ការពិពណ៌នា |
|---|---|
| ស៊េរី | - |
| កញ្ចប់ | Bulk |
| ស្ថានភាពផ្នែក | Obsolete |
| ប្រភេទហ្វីត | P-Channel |
| បច្ចេកវិទ្យា | MOSFET (Metal Oxide) |
| បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss) | 100 V |
| ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ | 6.5A (Tc) |
| វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា) | 10V |
| Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់ | 4V @ 250µA |
| បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (អតិបរមា) | ±20V |
| សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ | - |
| លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET | - |
| ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ប្រភេទម៉ោន | Through Hole |
| កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់ | TO-39 |
| កញ្ចប់ / ករណី | TO-205AF Metal Can |
ស្ថានភាពភាគហ៊ុន: ការដឹកជញ្ជូនថ្ងៃតែមួយ
អប្បបរមា: 1
| បរិមាណ | តម្លៃឯកតា | ឧ. តម្លៃ |
|---|---|---|
តម្លៃមិនមានទេ សូម RFQ |
||
ការគណនាការដឹកជញ្ជូន
40 ដុល្លារអាមេរិកដោយ FedEx ។
មកដល់ក្នុងរយៈពេល 3-5 ថ្ងៃ។
ប្រេស៖ (FEDEX, UPS, DHL, TNT) ការដឹកជញ្ជូនដោយឥតគិតថ្លៃលើ 0.5kg ដំបូងសម្រាប់ការបញ្ជាទិញលើសពី 150$ លើសទម្ងន់នឹងត្រូវគិតថ្លៃដាច់ដោយឡែក។
បញ្ចូលទៅក្នុងរទេះ!
ធាតុនេះត្រូវបានបញ្ចូលទៅក្នុងរទេះរបស់អ្នក។