SI4712DY-T1-GE3

លេខផ្នែកក្រុមហ៊ុនផលិត:	SI4712DY-T1-GE3
ក្រុមហ៊ុនផលិត:	Vishay / Siliconix
ផ្នែកនៃការពិពណ៌នា:	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SO
តារាងទិន្នន័យ:	SI4712DY-T1-GE3 តារាងទិន្នន័យ
ស្ថានភាពនាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / ស្ថានភាព RoHS:	នាំមុខដោយឥតគិតថ្លៃ / អនុលោមតាម RoHS
លក្ខខណ្ឌស្តុក:	នៅក្នុងស្តុក
នាវាពី:	Hong Kong
មធ្យោបាយដឹកជញ្ជូន:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

ចំណាំ: Vishay / Siliconix SI4712DY-T1-GE3 មាននៅ chipnets.com។ យើងខ្ញុំមានលក់តែ New & Original Part និងផ្តល់ការធានារយៈពេល 1 ឆ្នាំ។ ប្រសិនបើអ្នកចង់ដឹងបន្ថែមអំពីផលិតផល ឬអនុវត្តតម្លៃកាន់តែល្អ សូមទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ សូមចុចលើបណ្តាញជជែក ឬផ្ញើសម្រង់មកយើងខ្ញុំ។

សមាសធាតុអេឡិចត្រូនិចទាំងអស់នឹងត្រូវបានវេចខ្ចប់ដោយសុវត្ថិភាពបំផុតដោយការការពារប្រឆាំងនឹងស្តាទិច ESD ។

package

ការបញ្ជាក់

ប្រភេទ	ការពិពណ៌នា
ស៊េរី	SkyFET®, TrenchFET®
កញ្ចប់	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
ស្ថានភាពផ្នែក	Obsolete
ប្រភេទហ្វីត	N-Channel
បច្ចេកវិទ្យា	MOSFET (Metal Oxide)
បង្ហូរទៅវ៉ុលប្រភព (Vdss)	30 V
ចរន្ត - លូបន្ត (លេខសម្គាល់) @ 25 អង្សាសេ	14.6A (Tc)
វ៉ុលដ្រាយវ៍ (អតិរេកលើ, រ៉ូបអប្បបរមា)	4.5V, 10V
Rds On (អតិបរមា) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ទី) (អតិបរមា) @ លេខសម្គាល់	2.5V @ 1mA
បន្ទុកច្រកទ្វារ (Qg) (អតិបរមា) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Vgs (អតិបរមា)	±20V
សមត្ថភាពបញ្ចូល (ស៊ីស៊ី) (អតិបរមា) @ វីដ	1084 pF @ 15 V
លក្ខណៈពិសេសរបស់ FET	-
ការចែកចាយថាមពល (អតិបរមា)	2.5W (Ta), 5W (Tc)
សីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ	-55°C ~ 150°C (TJ)
ប្រភេទម៉ោន	Surface Mount
កញ្ចប់ឧបករណ៍អ្នកផ្គត់ផ្គង់	8-SO
កញ្ចប់ / ករណី	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

ការទិញជម្រើស

ស្ថានភាពភាគហ៊ុន: ការដឹកជញ្ជូនថ្ងៃតែមួយ

អប្បបរមា: 1

បរិមាណ	តម្លៃឯកតា	ឧ. តម្លៃ
តម្លៃមិនមានទេ សូម RFQ

ការគណនាការដឹកជញ្ជូន

40 ដុល្លារអាមេរិកដោយ FedEx ។

មកដល់ក្នុងរយៈពេល 3-5 ថ្ងៃ។

ប្រេស៖ (FEDEX, UPS, DHL, TNT) ការដឹកជញ្ជូនដោយឥតគិតថ្លៃលើ 0.5kg ដំបូងសម្រាប់ការបញ្ជាទិញលើសពី 150$ លើសទម្ងន់នឹងត្រូវគិតថ្លៃដាច់ដោយឡែក។

ម៉ូដែលពេញនិយម

ធាតុនេះត្រូវបានបញ្ចូលទៅក្នុងរទេះរបស់អ្នក។